二極管IV掃描源表

以電壓為橫坐標(biāo)，電流為縱坐標(biāo)作出元件的電壓—電流關(guān)系曲線，叫做該元件的伏安特性曲線即V-I曲線。

S型數(shù)字源表測試二極管需要幾臺(tái)源表？搭建方案示意圖？
如果客戶二極管蕞高測試電壓低于300V，使用一臺(tái)源表即可；

如果客戶二極管z高測試電壓高于300V，則需要使用E系列高壓程控電源、過壓保護(hù)模塊、直流源表進(jìn)行該測試；

三極管IV掃描源表

三極管輸入特性曲線是指當(dāng)集電極和發(fā)射極之間的電壓Vce為某一常數(shù)時(shí)，輸入回路中加在三極管基極與發(fā)射極之間的電壓Vbe與基極電流Ib之間的關(guān)系曲線。

三極管輸出曲線是指當(dāng)基極電流Ib為某一常數(shù)時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的電壓Vce與集電極漏電流Ic之間的關(guān)系曲線。

S型數(shù)字源表測試三極管或者M(jìn)OS管需要幾臺(tái)源表？搭建方案示意圖？
①、三極管測試時(shí)一臺(tái)加在基極與發(fā)射極之間，一臺(tái)加在集電極與發(fā)射極之間；MOS管測試時(shí)一臺(tái)加在柵極與源極之間，一臺(tái)加在漏極與源極之間；需要使用兩臺(tái)直流源表同步觸發(fā)使用，或使用插卡式直流源表；

②、三極管的基極及MOS管的柵極一般耐壓值較低于30V，基于*高性價(jià)比考慮，其中一臺(tái)使用S100即可，另一臺(tái)根據(jù)三極管的集電極或MOS管的漏極耐壓而定，普賽斯儀表推出的功率器件靜態(tài)測試儀可晶準(zhǔn)測量MOSFET、BJT、IGBT等的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA級(jí)電流晶準(zhǔn)測量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，方便用戶添加或升級(jí)測量模塊，適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。

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